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Produktbild: Subthreshold Surface Potential Model for Short-Channel Mosfet

Subthreshold Surface Potential Model for Short-Channel Mosfet Using Pseudo 2d Analysis

36,99 €

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Beschreibung

As a result of aggressive downscaling, short-channel effects (SCEs) become a major threat for future downscaling especially in the sub-100nm region. In order to extend the International Technology Road-map for Semiconductors (ITRS) road-map beyond 100nm, Double-Gate (DG) MOSFET evinces himself as a major...

Beschreibung

As a result of aggressive downscaling, short-channel effects (SCEs) become a major threat for future downscaling especially in the sub-100nm region. In order to extend the International Technology Road-map for Semiconductors (ITRS) road-map beyond 100nm, Double-Gate (DG) MOSFET evinces himself as a major promising candidate due to its higher scaling capability. In this book, modelling using a pseudo- two-dimensional (2D) analysis was presented to explore the effect of scaling especially for subthreshold characteristics of short-channel DG and conventional single gate MOSFET.

Produktdetails

Einband

Taschenbuch
Erscheinungsdatum

27.02.2014
Verlag LAP LAMBERT Academic Publishing
Seitenzahl

84

Produktdetails

Einband

Taschenbuch
Erscheinungsdatum

27.02.2014
Verlag LAP LAMBERT Academic Publishing
Seitenzahl

84
Maße (L/B/H)

22/15/0,6 cm
Gewicht

143 g
Sprache

Englisch
ISBN

978-3-659-12609-3
Herstelleradresse

VDM Verlag
Dudweiler Landstraße 99
66123 Saarbrücken
DE

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